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无压烧结碳化硅

点击次数：0   更新时间：2019-01-28  【关闭】 分    享:
无压烧结碳化硅SSiC和热压烧结SiC
 
 
 
无压烧结SiC它是采用细SiC微粉(粒度约在0.1～0.2微米)加适当的添加剂、粘结剂压制成型，然后再2000～2200摄氏度的温度下烧结而成的。适合用于数量少、规格品种多的机械密封环。
 
 
 
热压烧结SiC它由粒度小于等于1微米的SiC粉加上适当的添加剂，装入石墨模具内，在2000～2100摄氏度的热压炉中加压(30～50MPa)制成
 
的。它是SiC中化学稳定性好的一种。这是因为在氧化气氛下，表层生成一种保护性的SiO2膜的缘故。这种SiC用作耐腐蚀密封摩擦副环性能好。
 
 
 
以下是常用材质的腐蚀液体中的测试结果

测试环境

腐蚀性失重（mg/cm2yr）

试剂浓度（Wt%）

温度（°C）

无压烧结碳化硅

反应烧结碳化硅

碳化钨

氧化铝

98%H2SO4

100

1.8

55.0

＞1000

65.0

50%NaOH

100

2.5

＞1000

5.0

75.0

53%HF

25

＜0.2

7.9

8.0

20.0

85%H3PO4

100

＜0.2

8.8

55.0

＞1000

70%HNO3

100

＜0.2

0.5

＞1000

7.0

45KOH

100

＜0.2

＞1000

3.0

60.0

25%HCL

70

＜0.2

0.9

85.0

72.0

10%HF和 57%HNO3

25

＜0.2

＞1000

＞1000

16.0

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